Ударение в слове антимонид
В упомянутом выше слове ударение следует ставить на слог с последней буквой И — антимонИд.
(соединение сурьмы с металлом)
Примеры предложений, как пишется слово антимонид
... -ое антиминс, -а антимонархический, -ая, -oe антимони́д, -а антимоний, -я ( сурьма ) антимонйл, -а антимонит, -а антимӧНИЯ, -и ( разВОДИТЬ антимонии ) антиморальный ; кр. ф. -лен, -ЛЬна, -ЛЬНО антинародный ; кр. ф.
... с использованием бинарных полупроводниковых соединений, таких как силицид германия, карбид кремния, антимони́д индия (соединение сурьмы и индия), арсенид галлия, фосфид индия, нитрид галлия, и других, более сложных по составу.
Антимони́д галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов и других целей, выпускают в виде нелегированных и легированных теллуром или кремнием монокристаллических слитков, выращенных по методу Чохральского,...
Или, скажем, если создаётся прибор, котором арсенид галлия контактирует с антимонидом индия... антимони́д индия – тоже полупроводник, соединение индия и сурьмы, формула InSb... то тут будут взаимодействовать уже не три химических...
Антимони́д никеля проводит ток лучше, чем антимони́д индия, и если пропустить ток через кристалл перпендикулярно к иглам антимонида никеля, то проводимость будет определяться только антимонидом ИНДИЯ. Если магнитное поле действует...
Основными полупроводниковыми материалами для изготовления магниторезисторов являются антимони́д индия InSt и арсенид индия InAs, антимони́д никеля NiSb, размещаемые на кремниевой подложке - риалы с большой подвижностью носителей заряда.
Наибольшее применение в качестве материала для магниторезисторов имеют антимони́д индия (InSb) и арсенид индия (InAs). Весьма существенна зависимость степени проявления магниторезистивного эффекта от формы магниторезистора.
Для изготовления полупроводниковых приборов применяют простые полупроводниковые вещества: германий (Ge), кремний (Si), селен (Se); и сложные: арсенид галлия (GaAs), антимони́д индия (InSb). Величина удельного электрического сопротивления...
Для изготовления МЧЭ элементов Холла наиболее широко используются: кремний (Si), германий (Ge), арсенид индия (InAs), антимони́д индия (InSb), арсенид галлия (GaAs), то есть полупроводниковые материалы, обладающие высокой подвижностью...
К таким материалам относятся антимони́д индия (InSb) и его соединения, арсенид индия (InAs) и некоторые другие. Технология изготовления магниторезисторов также сложна и требует использования высокоточного современного оборудования.
... кроме кремния используются арсенид галлия и антимони́д индия. Зарубежные производители ИС применяют все современные технологические процессы микроэлектроники, в том числе эпипланарную, КМОП, гибриднопленочную и другие технологии.
Аид, карбид, вид, дравид, подвид, индивид, неликвид, твид, гид, альдегид, формальдегид, протеид, апартеид, жид, инвалид, болид, карбамид, полиамид, цианамид, сульфамид, бромид, роданид, цианид, антимони́д, ромбоид, антерозоид,...
... антимони́д (соединение сурьмы с металлом) антимоний, -я (сурьма) антимония; разводить антимонии антимонополистический антинаучный антинейтрино, нескл., с. антинейтрон антиномия Антиохия (Сирия, гор.) антипассат антипатичный антипатия...
Основой материала магниторезистора служит антимони́д индия, обладающий высокой подвижностью носителей, к которому добавляется ͳǤ ͅ Ψ. После сплавления и последующего остывания антимони́д никеля кристаллизуется в антимониде индия в виде...
Эксперименты показали, что при воздействии лазерного излучения на германий, кремний, арсенид галлия, антимони́д галлия, антимони́д индия и селенид кадмия характер повреждений зависит от плотности энергии излучения,...
Эксперимент«Афамия для получениямонокристаллов антимони́д галлияс улучшенными свойствами. Эксперимент «Касьюн» для изучения влияния невесомости на микроструктурунаправленно закристаллизованных эвтектикв системеалюминий-никель.
Существенную роль играют сульфосоли – теннантит (медный арсенид-сульфид) и тетраэдрит (медный антимони́д-сульфид). Карбонаты в срастании с ранними сульфидами и сульфосолями широко распространены на поздних стадиях в парагенезисе с...
Такой структурой обладают также многие полупроводниковые соединения типа AIIIBV (арсенид галлия GaAs, фосфид галлия GaP, фосфид индия InP, антимони́д индия InSb и др.) и типа AIIBVI (селенид цинка ZnSe, теллурид цинка ZnTe,...
Максимум потолка валентной зоны и минимум дна зоны проводимости в прямозонных полупроводниках имеют одно значение волнового вектора. К таким полупроводникам относятся арсенид галлия, антимони́д индия и другие.
Технологические эксперименты. Эксперимент «Афамия для получения монокристаллов антимони́д галлия с улучшенными свойствами.
На данном портале вы узнаете где именно ставится ударение в слове «антимонид». Наш портал подскажет куда падает ударение в слове антимонид и как оно правильно произносится. В слове «антимонид» ударение падает на слог с последней буквой И — антимони́д.
Правильно
Неправильно