Ударение в слове полупроводника

В данном слове ударение должно быть поставлено на слог с буквой А — полупроводникА.
родительный падеж слова полупроводник

Примеры предложений, как пишется слово полупроводника

Электротехника в 2 ч. Часть 1 3-е изд., пер. и доп. Учебное пособие для СПО
Такой переход можно получить в едином кристалле полупроводника́ путем легирования донорными и акцепторными примесями. Например, для находящих широкое применение полупроводниковых элементов IV группы германия и кремния, имеющих четыре... — Александр Ложкин, Алексей Пегов, Давид Тамарчак, Александр Аблин, Лена Могилевская, Герман Фестинатов, Юрий Хотунцев, Михаил Ушаков, Электротехника в 2 ч. Часть 1 3-е изд., пер. и доп. Учебное пособие для СПО, 2021 год
Физические основы микроэлектроники
В результате приконҮтакнтый слой металла заряжается отрицательно, а полупроводника́ - тельно. Поскольку концентрация электронов в металле существенно больше, чем в полупроводнике, толщина заряженного слоя в металле будет намного меньше. — Владимир Смирнов, Ольга Шуваева, Физические основы микроэлектроники, 2021 год
Химия 2-е изд., пер. и доп. Учебник для академического бакалавриата
Как правило, это элементы из групп с большим номером, чем номер группы самого полупроводника́ ( элементы V - VІІІ групп ). При добавлении донорной примеси суммарная проВОДИМОСТЬ ПОлупроводника́ становится проВОДИМОСТЬЮ n - типа. — Александр Голубев, Валентин Шаповал, Юрий Лебедев, Герман Фадеев, Химия 2-е изд., пер. и доп. Учебник для академического бакалавриата, 2021 год
Электроника: электронные аппараты. Учебник и практикум для СПО
и полупроводника́ с проводимостью p-типа. Если к этой структуре подключить источник напряжения E положительным выводом к металлу, то дырки полупроводника́ будут перемещаться в направлении отрицательного потенциала внешнего источника,... — Михаил Лепанов, Валерий Райнин, Павел Курбатов, Юрий Розанов, Электроника: электронные аппараты. Учебник и практикум для СПО, 2021 год
Электроника в 4 ч. Часть 2 микроэлектроника 2-е изд., испр. и доп. Учебник для академического бакалавриата
Если на поверхности полупроводника́ n - типа проводимости преобладают акцепторные состояния, то поверхность будет захватывать электроны из объема полупроводника́, прилегающего к поверхности, и поверхность в этом случае будет заряжена... — Александр Сигов, Александр Щука, Электроника в 4 ч. Часть 2 микроэлектроника 2-е изд., испр. и доп. Учебник для академического бакалавриата, 2021 год
Физика: квантовая физика. Лабораторный практикум 2-е изд., испр. и доп. Учебное пособие для СПО
Цель работы: выяснить характер зависимости сопротивления полупроводника́ от температуры, определить температурную область собственной проводимости, оценить ширину запрещенной зоны, убедиться, что экспериментальные результаты не... — Виктор Горлач, Физика: квантовая физика. Лабораторный практикум 2-е изд., испр. и доп. Учебное пособие для СПО, 2021 год
Физика. Учебник и практикум для СПО
Низкая проводимость полупроводника́ вызвана тем, что электроны и дырки не являются свободными носителями заряда в привычном для нас смысле. Длина свободного пробега электрона крайне мала, зачастую она сравнима с расстоянием между... — Николай Кравченко, Физика. Учебник и практикум для СПО, 2021 год
Наноэлектроника в 2 ч. Часть 1 3-е изд., испр. и доп. Учебное пособие для вузов
Границей раздела называют переходной слой, в котором физикохимические, кристаллические и другие параметры полупроводника́ отличаются от основного кристалла, пленки или объема образца. В последнем случае этот слой чаще называют... — Валерий Драгунов, Виктор Гридчин, Игорь Неизвестный, Наноэлектроника в 2 ч. Часть 1 3-е изд., испр. и доп. Учебное пособие для вузов, 2021 год
Материаловедение 2-е изд. Учебник для бакалавров
Образование р п - перехода происходит при контакте двух полупроводников с разным типом проводимости или при легировании одной части полупроводника́ донорной, а другой его части — акцепторной примесью. Важные технические применения... — Геннадий Бондаренко, Татьяна Кабанова, Владимир Рыбалко, Материаловедение 2-е изд. Учебник для бакалавров, 2021 год
Сенсорная электроника, датчики: твердотельные сенсорные структуры на кремнии. Учебное пособие для вузов
При этом считаем, что на поверхности полупроводника́ энергетический спектр в отсутствие внешнего поля точно такой же, как и в объеме, т. е. поверхность полупроводника́ является идеальной, без поверхностных состояний. — Алексей Шапошник, Эвелина Домашевская, Станислав Рябцев, Александр Ховив, Евгений Тутов, Сенсорная электроника, датчики: твердотельные сенсорные структуры на кремнии. Учебное пособие для вузов, 2021 год
Силовая электроника. Учебник и практикум для академического бакалавриата
Принцип действия МОП-транзисторов основан на изменении электрической проводимости на границе диэлектрика и полупроводника́ под воздействием электрического поля. Принцип управления МОП-транзистором можно рассмотреть на примере структуры,... — Михаил Лепанов, Юрий Розанов, Силовая электроника. Учебник и практикум для академического бакалавриата, 2021 год
Электротехника (теория электрических цепей) в 2 ч. Часть 2. Учебник для вузов
Известно два типа каналов: • объемные каналы, представляющие собой участки однородного полупроводника́, отделенные от поверхности обедненным слоем. Для транзисторов с объемным каналом характерно то, что обедненный слой создается с... — Олег Новожилов, Электротехника (теория электрических цепей) в 2 ч. Часть 2. Учебник для вузов, 2021 год
Основы электроники 6-е изд., пер. и доп. Учебник для СПО
Этот технологический процесс заключается в том, что в пластинку полупроводника́ одного типа проводимости вплавляют примесь, необходимую для образования полупроводника́ другого типа проводимости. Например, на пластинку германия n-типа... — Олег Миловзоров, Иван Панков, Основы электроники 6-е изд., пер. и доп. Учебник для СПО, 2021 год
Схемотехника радиоэлектронных устройств
Если исходить из предположения, что работа выхода металла больше, чем у электрона полупроводника́, что имеет место с большинством комбинаций металл-полупроводник, которые используются для диодов Шоттки – происходит на границе раздела... — Андрей Кравец, Схемотехника радиоэлектронных устройств, 2021 год
Сенсорная электроника, датчики: твердотельные сенсорные структуры на кремнии. Учебное пособие для вузов
Для экранировN D ки поля от положительного заряда необходимо подтянуть электроны из объема полупроводника́. Следовательно, из-за малой концентрации свободных носителей заряда в объеме полупроводника́ возможно проникновение электрического... — Алексей Шапошник, Эвелина Домашевская, Станислав Рябцев, Александр Ховив, Евгений Тутов, Сенсорная электроника, датчики: твердотельные сенсорные структуры на кремнии. Учебное пособие для вузов, 2021 год
ЕГЭ. Физика. Универсальный справочник
Примесная проводимость полупроводника́, в зависимости от вида примеси, может быть электронной — ее создают донорные примеси, либо дырочной ее создают акцепторные примеси. Полупроводники с электронной проводимостью называются... — Ольга Бальва, ЕГЭ. Физика. Универсальный справочник, 2021 год
ЕГЭ-2021. Физика. Решение задач
В кристалле полупроводника́, например кремния Si, соседние атомы образуют ковалентную связь, причем от каждого атома в образовании этой связи участвует по одному валентному электрону. Электроны, образующие ковалентные связи, могут... — Владимир Колесников, ЕГЭ-2021. Физика. Решение задач, 2021 год
Полупроводниковые диоды и схемы с диодами
При помещении полупроводника́ в электрическое поле на хаотическое движение носителей зарядов накладывается составляющая направленного движения. Направленное движение носителей зарядов в электрическом поле обусловливает появление тока,... — Алексей Ровдо, Полупроводниковые диоды и схемы с диодами, 2019 год
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 1
Влияние примесей При использовании полирующего травителя присутствие различных примесей и загрязнений на поверхности полупроводника́ может существенно изменить не только скорость, но и характер травления. Большинство неактивных газов... — Михаил Королев, Татьяна Крупкина, Марина Ревелева, Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 1, 2014 год
Она заключается в точном позиционировании точки на странице посредством изменения электрического заряда на специальной плёнке из фотопроводящего полупроводника́. — А. И. Ватаманюк, Собираем компьютер своими руками, 2008 год
Он представляет собой металлический цилиндр, покрытый тонкой плёнкой из фотопроводящего полупроводника́ (обычно оксида цинка). — А. И. Ватаманюк, Собираем компьютер своими руками, 2008 год

В нашем онлайн словаре вы изучите какое правильное ударение в слове полупроводника и как оно правильно произносится. Изучайте новые слова из русского языка и применяйте к ним правильные ударения. В слове «полупроводника» ударение должно быть поставлено на слог с буквой А — полупроводника́.